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NTHD4401P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
600
500
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1000
400
300
C rss
100
T J = 100 ° C
200
100
C oss
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
10
5
0
?V GS ?V DS
5
10
15
20
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
Figure 8. Capacitance Variation
6
12
100
5
4
?V DS
QT
10
8
t f
t d(off)
?V GS
t r
3
6
10
2
Q1
Q2
4
t d(on)
V DD = ?16 V
1
0
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
2
0
1
I D = ?2.1 A
V GS = ?4.5 V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
2.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
1.5
1
0.5
0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
0.3
0.5
0.7
0.9
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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